硅中砷离子注入的研究

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摘要离子注入作为一种新技术和新兴的边缘学科,在半导体器件生产和大规模集成电路以及超大规模集成电路的研制中得到了普遍的应用。据报导,离子注入已经以五十多种不同的方式出色地使用于半导体器件的研制。在高浓度、浅结的 n 型层制备中,引人注目的是砷离子注入工艺。这是由于 As 在 Si 中固溶度较高,扩散系数小。

作者刘尚合卢武星

机构地区北京师范大学低能核物理研究所

出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1979年第4期7-12,共6页 Journal of Beijing Normal University(Natural Science)

关键词离子注入半导体器件备中载流子浓度退火温度子注薄层电阻固溶度晶向退火条件

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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1979年第4期

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