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半导体材料争相从10nm向5nm发展 被引量:1

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摘要 随着晶体管向10nm、7nm甚至更小尺寸的发展,半导体行业面临着真正的材料选择困扰。基板、沟道、栅和接触材料都迫切需要评估。"在14nm,10nm工艺时代,器件架构是确定的。"Intermolecular有限公司半导体部门高级副总裁兼总经理RajJammy表示,"大多数情况下采用FinFET架构,当然也有其它选项,如完全耗尽型绝缘硅(SOI)。"对于10nm和7nm来说,Jammy认为高K值金属栅将占主导地位。
作者 赵佶
出处 《半导体信息》 2014年第4期22-26,共5页 Semiconductor Information
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