摘要
据报道,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓（Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）衬底的GaN基LED器件,预计器件及氧化镓衬底可在2011年年末上市,与以前使用蓝宝石衬底的LED相比,每单位面积可流过10倍以上的电流。该器件将适用于前照灯及投影仪等需要高亮度的应用。另外,氧化镓衬底通过简单的溶液生长即可成形,因此这是一种可实现低成本化的技术,还能用于照明等。
出处
《半导体信息》
2011年第3期13-13,共1页
Semiconductor Information
