我国研制成功面向3mm波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管
出处
《半导体信息》
2008年第6期28-28,共1页
Semiconductor Information
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1华有年,周洪直,李大刚.用于近代高频技术的CAT/CAD系统[J].北京工业大学学报,1991,17(3):77-85.
-
2王丽英.我国研制成功面向3mm波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管[J].今日电子,2008(9):29-29.
-
3张兴柱,黄是鹏.高频准谐振变换器的电路拓扑[J].核工业自动化,1992(2):30-33.
-
4刘键,郭文彦,吕长荣.用扩展物理光学(E.P.O)计算旋转对称目标雷达散射截面(RCS)[J].哈尔滨工业大学学报,1991,23(3):48-52. 被引量：10
-
5华为携手M1进行毫米波5G测试[J].智能城市,2017,3(2):1-1.
-
6陈文实,许立民.UPS电源现状及发展方向[J].辽宁工学院学报,2002,22(4):24-25. 被引量：6
-
7程伟,张有涛,李晓鹏,王元,常龙,谢俊领,陆海燕.基于InP DHBT工艺的13 GHz 1:8量化降速电路[J].固体电子学研究与进展,2016,36(6).
-
8马静芬.MoCA的机会——高频接入技术研讨会侧记[J].世界宽带网络,2012,19(4):24-25.
-
9王显泰,金智,程伟,苏永波,申华军.共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性[J].半导体技术,2009,34(8):759-762.
-
10骆斌.基于RFID高频技术的洗衣管理系统[J].电子科技,2011,24(5):23-25. 被引量：4
