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硅片超精密磨削减薄工艺基础研究 被引量:2

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摘要 电子产品对高性能、多功能、小型化和低成本的需求推动了集成电路(IC)制造技术的高速发展,特别是便携式电子产品的飞速发展对IC封装技术提出了越来越高的要求,其中,叠层三维立体封装技术由于其空间占用小,电性能稳定、成本低等优点成为未来的主要发展趋势。在封装整体厚度不变甚至减小的趋势下,要增加堆叠层数,必须对各层硅片进行背面减薄,且要求减薄硅片具有高面型精度、无表面/亚表面损伤。
作者 高尚 康仁科
机构地区 大连理工大学
出处 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期52-52,共1页 Journal of Mechanical Engineering
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