PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析被引量：2

Analysis of Auger electron spectrum and infrared absorption spectra of the SiO_xN_y thin dielectric film formed by low temperature PECVD

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摘要采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。 The microscopical composition and relationship in the composition to fabricated filmprocess of SiOxNy thin dielectric film formed by low temperature PECVD were analysed with AESand infrared absorption spectra. The physical and optical properties of the thin film were measuredby ellipsometer.

作者陈蒲生张昊冯文修刘剑刘小阳王锋

机构地区华南理工大学应用物理系信息产业部电子五所数据中心华南理工大学机电工程系广东省电子技术学校

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期73-76,共4页 Semiconductor Technology

基金广东省自然科学基金资助项目

关键词 PECVD法 SiOxNy薄介质膜俄歇电子能谱红外吸收光谱微观组分电学性能 SiOxNy thin dielectric film Auger electron spectrum infrared absorption spectra microscopical compositon electrical property

分类号 O484.5 [理学—固体物理] TN304.055 [理学—物理]

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半导体技术

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