光电探测器材料与器件被引量：1

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摘要一、HgCdTe红外探测器1.HgCdTe材料特性及其对焦平面列阵性能的影响(特邀论文)(C.A.Cokrum,美国)2.分子束外延生长的双层异质结HgCdTe焦平面列阵(O.K.Wu等,美国)3.CdTe和HgCdTe在Si衬底上的异质外延:在红外和X射线探测器中的应用(特邀论文)(J.P.Faurie等,美国)4.HgCdTe中电激活态发生的特性(V.G.

作者高国龙

出处《红外》 CAS 2002年第2期44-45,共2页 Infrared

关键词光电探测器件光电探测器材料光电子学量子阱红外探测器

分类号 TN365 [电子电信—物理电子学]

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