Si光电负阻器件和Si-Ge异质结混合模式晶体管的模拟研究
The Simulated Study on Si-Photoelectronic Negative Resistance Devices and Si-Ge Hetero-junction Hybrid Transistors
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期36-36,共1页
Electronic Components And Materials
基金
国家自然科学基金重点项目(69836020)
国家自然科学基金项目(69477011)
天津市自然科学基金项目(983601411)
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2郭维廉,毛陆虹,李树荣,郑云光,王静,吴霞宛.Si-Ge异质结基区混合模式晶体管的提出和模拟[J].固体电子学研究与进展,2001,21(3):306-312.
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3郭维廉,张世林,郑云光,李树荣,候晶莹,高强,李丰,刘式墉.由OLED和PDUBAT构成的光学双稳态[J].半导体光电,2001,22(1):18-20. 被引量：3
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4郭维廉,张培宁,郑云光,李树荣,张世林.光电双基区晶体管中的光控电流开关效应[J].半导体技术,2000,25(1):19-21. 被引量：5
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5李丹,李树荣,夏克军,郭维廉,郑云光.一种新型结构的光电负阻器件[J].Journal of Semiconductors,2003,24(10):1078-1083. 被引量：2
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7朱胜利,姚素英,郑云光,李树荣,张世林,郭维廉.新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析[J].Journal of Semiconductors,2004,25(5):573-578. 被引量：2
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8郭维廉,张世林,张培宁,周剑.非线性光耦合器及其响应保持功能[J].半导体光电,2002,23(3):167-169.
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9毛陆虹,郭维廉,陈培毅,牛萍娟,沙亚男.Si-Ge异质结基区BMHMT三端特性的器件模拟[J].微电子学,2000,30(3):141-143.
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10张生才,郑云光,郭辉,李树荣,张世林,郭维廉,胡泽军,夏克军.光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型[J].电子学报,2003,31(5):790-792. 被引量：2
