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半导体纳米粒子的电容 被引量:1

Capacitance of Semiconductor Nanoparticles
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摘要 用简谐势描述量子点中电子所受的约束 ,通过简谐势模型利用自洽迭代的方法计算了Cd S、Pb S等半导体纳米粒子的充电电容 ,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径 . With the harmonic potentials, the binding of electrons in the dots is described. The capacitance of semiconductor nanoparticles CdS,PbS are computed by harmonic potentials Model with self-consistent method.The maximum quantum do t size is also found,which can form the Single Electron Transistor in room temper ature.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期1189-1192,共4页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金!( 69890 2 2 7 69771 0 1 1 69971 0 0 7) 霍英东基金资助项目&&
关键词 纳米粒子 电容 半导体 量子点 简谐势 single electron nanoparticle capacitance
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