Ge-APD及InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流-温度特性及其比较

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摘要 1 前言 Ge-APD及InGaAs/InGaAsP/InPSAGM-APD都可以用来探测1.1～1.6μm的红外光。在长波长光纤通信系统中,需要波长为1.3～1.55μm的红外光探测器。在该光通信系统中,通过光纤入射到探测器光敏面的平均光功率一般在0.1μW～10μW范围。要探测这样微弱的光信号。

作者丁国庆

机构地区武汉电信器件公司

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第6期33-37,共5页 Semiconductor Technology

关键词红外探测器暗电流 Ge-APD 温度

分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]

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