离子注入掺杂热再分布的理论分析

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摘要本文对离子注入搀杂杂质分布的热再分布过程提出了两种分析手段。其一是已知热再分布的具体过程,通过求解扩散方程得到了杂质最终分布的解析解;其二是已知热再分布最终杂质分布的某个边界条件,本文提出了有效杂质总量守恒模型,并采用牛顿-拉夫逊,或蒙特卡罗计算机数值方法,可求得最终的杂质分布。文中最后给出了CMOS工艺中离子注入P阱的计算结果。

作者林长贵王则如黄宗林

机构地区西安交通大学微电子所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期41-45,共5页 Semiconductor Technology

关键词离子注入掺杂热分布集成电路

分类号 TN432.053 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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参考文献3

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