期刊文献+

X射线衍射仪的X射线溯源 被引量:2

原文传递
导出
摘要 针对X射线波长短、能量高,不易直接将x射线波长溯源至SI国际单位,通过采用不同单色器单色化入射X射线,将入射光源溯源至单晶硅晶格参数。结果显示x射线波长引入的最大不确定度为0.0013nm。
出处 《计量技术》 2012年第8期3-5,共3页 Measurement Technique
基金 质检总局公益项目21-AHY1013-1113 中国计量科学研究院基本业务费21-AKY1006.
  • 相关文献

参考文献14

二级参考文献83

共引文献42

同被引文献12

  • 1张化福,祁康成,吴健.氮化硅薄膜的制备方法及主要应用[J].材料导报,2004,18(F10):298-300. 被引量:3
  • 2申灿,刘雄英,黄光周.原子层沉积技术及其在半导体中的应用[J].真空,2006,43(4):1-6. 被引量:12
  • 3Futako W,Mizuochi N, Yamasaki S. In situ ESR observation of in- terface dangling bond formation processes during ultrathin SiO2 growth on Si(111) [J]. Phys Rev Lett, 2004, 92:105505. 被引量:1
  • 4Gayathri N, Banerjee S. Layering of ultrathin SiO2 film and study of its growth kinetics [ J ]. Appl Phys Lett, 2004, 84 (25) : 5192 -5194. 被引量:1
  • 5Colombi P, Bontempi E, etal. X- ray reflectivity and total reflec- tion x - ray fluorescence study of surface oxide evolution in a GaAs/ AlAs multilayer system [ J]. J Appl Phys, 2009, 105 : 014307. 被引量:1
  • 6Stoev K, Sakurai K. Recent theoretical models in grazing incidence X - ray reflectometry [ J]. The Rigaku Journal, 1997, 14 : 22 - 37. 被引量:1
  • 7Kojima I, Li B. Structural characterization of thin films by X - ray reflectivity [J]. The Rigaku Journal, 1999, 16(2) : 31 -41. 被引量:1
  • 8Parratt L G. Surface Studies of solids by total reflection of X - Rays [J]. Phys Rev, 1954, 95:395 -369. 被引量:1
  • 9Kim C, Koo T, Choi Y. Observation of an interlayer in a nano - scale SiO2 layer on Si substrate by X - Ray reflectivity (XRR) anal- ysis [ J]. Solid State Phenomena, 2007, 124 - 126 : 1689 - 1692. 被引量:1
  • 10Ren L L, Gao H F, Yuan A L. Effects of growth conditions on the GaAs/A1As superlattices by grazi ng incidence X - Ray reflectivity [ J]. J Nanosci Nanotechnol, 2013, 13 (2) : 761 - 765. 被引量:1

引证文献2

二级引证文献3

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部