摘要
利用分子束外延系统在Si(001)衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV±0.2 eV和1.9 eV±O.3 eV并得出了Tm_2O_3的禁带宽度为6.1 eV±0.2 eV.研究结果表明Tm_2O_3是一种很有前途的高κ栅介质候选材料.
The single crystalline Tm_2O_3 films are deposited on Si（001） substrates by molecular beam epitaxy,by using x-ray photoelectron spectroscopy,the valence and the conduction-band shifts of Tm_2O-3 to Si are obtained to be 3.1±0.2 eV and 1.9±0.3 eV,respectively. The energy gap of Er_2O_3 is determined to be 6.1±0.2 eV.The results of the study show that the Tm_2O_3 could be a promising candidate for high-κgate dielectrics.
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期470-474,共5页
Acta Physica Sinica
基金
国家自然科学基金(批准号:60806031
11004130)
浙江省自然科学基金(批准号:Y6100596)
上海市重点基础研究项目(批准号:10JC1405900)资助的课题~~
