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氮分压对多弧离子镀TiN涂层相结构及性能影响的研究 被引量:7

Study on the Resistivity of Phase Structures and Properties of TiN Coating of Ion Plating with Multiple Arc Sources by N_2 Partial Pressure
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摘要 本文利用多弧离子镀设备沉积了 TiN薄膜,对不同工艺条件下沉积TiN的薄膜用 X射线衍射方法进行了研究,给出了薄膜相结构随氮分压变化的实验结果,测定了薄膜 的显微硬度.用SEM方法观察了 TiN涂层的组织形貌。指出:氮分压为多弧离子镀 的一个重要工艺参数,我们适当地控制氮分压,可以制作出性能良好的TiN薄膜。 In this paper, it is taken as the example that TiN thin film were deposited by ion plating equipment with multiple are sorces, the TiN thin films that were deposited in diferent technological conditions were investigated by XRD method. The experiment results that the phase structures of thin films change with N_2 partial pressure are given. The microhardness of thin film is measured. The structure and topography of thin film are observed by SEM method. Here it is also pointed out that N_2 partial pressure is one of important technological parameters of ion plating with multiple arc sources. If we control N_2 partial pressure properly, the TiN film can be deposited and have good performance,
作者 李晓青
机构地区 北京量具刃具厂
出处 《真空》 CAS 北大核心 1990年第3期1-5,共5页 Vacuum
  • 相关文献

参考文献4

  • 1张利春,高玉芝,N.W.Cheung.ZrN/n-GaAs肖特基势垒特性研究[J].Journal of Semiconductors,1989,10(3):161-167. 被引量:6
  • 2张石权.多弧沉积技术综述[J]真空,1988(01). 被引量:1
  • 3王福贞,闻立时编著,中国机械工程学会热处理学会.表面沉积技术[M]机械工业出版社,1989. 被引量:1
  • 4刘国勋主编..金属学原理[M].北京:冶金工业出版社,1980:442.

二级参考文献1

  • 1张利春,第五届全国半导体集成电路硅材料学术会议文集,1987年 被引量:1

共引文献5

同被引文献34

引证文献7

二级引证文献27

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