摘要
选用有AlN和AlGaN缓冲层的GaN/Si作为测试样品,采用同步辐射X射线衍射(SRXRD)技术对样品外延膜(GaN)的几何结构、晶格常量及其应变进行了分析.结果表明,同步辐射X射线衍射实验可以作为一种有效的技术手段,测试固体结构及应变.
Applying synchrotron radiation X-ray diffraction（SRXRD） technology,the geometric structure,lattice constant and strain of GaN/Si with AlGaN and AlN interlayer were analysed and discussed.SRXRD experiment was an effective technique in testing solid structure and analyzing strain.
出处
《物理实验》
北大核心
2011年第8期10-13,共4页
Physics Experimentation
基金
北京大学核物理与核技术国家重点实验室开放课题支持项目(No.2011PKUC1135)
关键词
同步辐射X射线衍射
晶格常量
布拉格角
应变
synchrotron radiation X-ray diffraction
lattice constant
Bragg angle
strain
