980nm半导体激光器高反膜的优化设计

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摘要通过软件模拟和理论分析,对980nm半导体激光器高反膜的结构进行了优化设计。选定Ta2O5/SiO2作为980nm半导体激光器的高反膜材料,通过软件TFCalc进行仿真,对3种不同膜系结构的反射率和电场强度进行了对比分析,对镀膜后和未镀膜的器件分别进行测试。仿真结果表明:膜系结构为Al2O3(Ta2O5/SiO2)7Ta2O5的高反膜性能良好,镀膜后的阈值电流减小了20mA左右,斜率效率从0.48增加到了0.86。

作者张莹宋爱民王培界

机构地区重庆邮电大学光电工程学院重庆教育学院重庆光电技术研究所

出处《数字通信》 2011年第4期92-94,97,共4页 Digital Communications and Networks

关键词半导体激光器高反膜薄膜激光损伤阈值归一化电场强度

分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]

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