低位错掺铟与不掺杂LEC SI-GaAs单晶生长工艺研究

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摘要在微波半导体领域内,2～3英寸高迁移率、高完整性的SI-GaAs单晶是制做GaAs器件特别是GaAs IC的理想材料,但用LEC法生长的单晶位错密度较高,EPD达104～105cm-2。根据国内外的报道,现有降低LEC GaAs单晶位错工艺的实质是降低单晶的热应力与提高临界切应力。根据这种观点。

作者刘力宾

机构地区南京电子器件研究所

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第5期387-390,共4页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词单晶生长工艺 SI-GAAS单晶

分类号 TN304.053 [电子电信—物理电子学]

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稀有金属

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