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下代光刻设备的再次选择
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摘要
1引言一年半以前,国际SEMATECH财团将光学光刻的接班技术选择缩小到4种:极紫外(EUV)、离子投影光刻(IPL)、限角散射投影电子束光刻(SCALPEL)和x射线光刻技术。已证实,各种技术均具有70nm以下特征尺寸的作图能力。然而,根据下代光刻...
作者
DeJule,R
葛劢冲
出处
《电子工业专用设备》
1999年第2期60-64,共5页
Equipment for Electronic Products Manufacturing
关键词
光刻设备
光学光刻
X射线
半导体器件
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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电子工业专用设备
1999年 第2期
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