摘要
采用分子束外延生长了不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料。X射线衍射发现量子阱材料有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱的界面均匀性和质量较好。研究了不同In组分与光致发光波长的关系,光荧光谱测试表明,所制备的不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料,在室温下的发光波长可以覆盖1.6～2.3μm的范围。
InGaAsSb/AlGaAsSb multi-quantum-well（MQWs） were grown by molecular beam epitaxy.The X-ray diffraction pattern presents multi-levels of satellite peaks,which indicate a good interface and excellent crystal quality.Meanwhile,photoluminescence shows the emission wavelength at room temperature covers 1.6～2.3 μm with varing In compositions in InGaAsSb/AlGaAsSb MQWs.
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期282-284,共3页
Chinese Journal of Luminescence
基金
国家自然科学基金(61006039
60976056)
重点实验室基金项目(232480)资助
