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变容二极管的结构、符号、外形及检测
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摘要
在反向电压作用下的二极管处于截止状态,两边的P型和N型半导体相当于平板电容的两个极板,中间的耗尽层电阻很大,看作绝缘介质,所以反向电压作用下的二极管可看成一个电容(结电容),如图1所示。结电容巳容量随外加反向电压的变化而变化,反压大、
作者
刘伟
出处
《家电检修技术(资料版)》
2010年第1期47-47,共1页
关键词
变容二极管
结构
检测
外形
反向电压
平板电容
绝缘介质
结电容
分类号
TN312.1 [电子电信—物理电子学]
TN36
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.光通信技术,2017,41(2):39-41.
2
陈晓明.
时域有限差分法分析平板电容的宽频特性[J]
.固体电子学研究与进展,1995,15(2):190-193.
3
杨海峰.
基于LTCC技术的电容设计[J]
.科技信息,2012(26):159-160.
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高珊,孟坚,陈军宁,丁浩.
n阱LDMOS伏安特性线性区的分析[J]
.安徽大学学报(自然科学版),2005,29(2):55-59.
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孙再吉.
开发插入AlGaN层的InAlN/AlGaN/GaN FETs[J]
.半导体信息,2010,0(4):16-16.
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李蓉,张林昌.
FDTD法研究散热片与器件间的耦合电容[J]
.电波科学学报,2002,17(3):229-232.
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王生国,胡志富.
GaAs MIM电容模型[J]
.半导体技术,2010,35(6):607-609.
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李长胜.
一种微型电火花电极的设计与制作[J]
.河南机电高等专科学校学报,2009,17(1):1-2.
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马军昌,魏文珍.
腔体滤波器的频率计算[J]
.通信技术,2011,44(7):141-143.
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家电检修技术(资料版)
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