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欧司朗成功研发出直接发光绿色的InGaN激光器

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摘要 2009年8月欧司朗光电半导体成功研发直接发光绿色氮化铟镓（InGaN）激光，标志着实验室研究取得重大突破。该款激光的光输出高达50mW，发射波长为515nm的真绿光线。与目前采用倍频技术的半导体激光相比，直接发光绿色激光器体积更小，温度稳定性更高，调制能力更强，更易于控制。

出处《现代材料动态》 2009年第11期18-19,共2页 Information of Advanced Materials

关键词 GaN激光器欧司朗发光研发光电半导体半导体激光绿色激光器温度稳定性

分类号 TN946.5 [电子电信—信号与信息处理] TU113.66 [电子电信—信息与通信工程]

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现代材料动态

2009年第11期

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