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直接发光绿色氮化铟镓(InGaN)激光试验成功

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摘要欧司朗光电半导体成功研发直接发光绿色氮化铟镓（InGaN）激光．标志着实验室研究取得重大突破。该款激光的光输出高达50mW．发射波长为515nm的真绿光线。与目前采用倍频技术的半导体激光相比，直接发光绿色激光器体积更小、温度稳定性更高、调制能力更强、更易于控制。

出处《光机电信息》 2009年第9期48-48,共1页 OME Information

关键词半导体激光氮化铟镓试验成功发光光电半导体绿色激光器温度稳定性发射波长

分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学] TN248

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光机电信息

2009年第9期

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