Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的硫钝化被引量：3

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摘要 Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题．８０年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力．文章对有关硫钝化技术使Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件性能得到的改善以及所存在的问题进行了综述．

作者袁泽亮侯晓远王迅

机构地区复旦大学应用表面物理国家重点实验室

出处《物理》 CAS 1998年第6期349-353,共5页 Physics

关键词表面钝化硫钝化 Ⅲ-Ⅴ族半导体器件

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN305.2

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