化合物半导体器件及IC所用半导体材料的发展现状
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1谢永桂.超高速化合物半导体器件(5)[J].电子元器件应用,2003,5(1):56-58.
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2谢永桂.超高速化合物半导体器件(6)[J].电子元器件应用,2003,5(2):57-58.
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3谢永桂.超高速化合物半导体器件(1)[J].电子元器件应用,2002,4(9):60-62.
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4何兴仁.在硅衬底上直接生长Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件的进展[J].半导体光电,1989,10(2):45-50. 被引量：2
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5王林海,袁炳辉,付浚.砷化镓液相外延片均匀性的研究[J].河北工学院学报,1994,23(1):65-69.
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6谢永桂.超高速化合物半导体器件(3) InP基高电子迁移率晶体管[J].电子元器件应用,2002,4(11):49-51.
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7超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究[J].中国科技成果,2015,0(21):32-33.
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8谢永桂.超高速化合物半导体器件（2）Ⅲ—Ⅴ族化合物异质双极晶体管[J].电子元器件应用,2002,4(10):48-50.
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9李岚,王阳,李晓岚,邵会民,杨瑞霞.化合物半导体器件与电路的研究进展[J].微纳电子技术,2012,49(10):650-653. 被引量：8
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10谢永桂.超高速化合物半导体器件(4)[J].电子元器件应用,2002,4(12):46-50.
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