期刊文献+

磁控反应溅射制备 Ta-N 薄膜的显微组织与畸变分析 被引量:2

Microstructure and Microdistortion of Ta N Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering
下载PDF
导出
摘要 利用直流磁控反应溅射技术制备了Ta-N薄膜。利用TEM、XRD研究了薄膜显微组织及结构。研究表明,薄膜晶粒细小,可达到10nm;在一定工艺条件下制备的Ta-N薄膜为多相共存结构;磁控反应溅射制备Ta-N薄膜,沉积压力对薄膜晶粒的显微畸变影响较大,沉积压力降低,晶粒显微畸变增加,导致薄膜中产生较大的微观应力。 The Ta N film is deposited by the DC reactive magnetron sputtering.The microstructures of the film are characterized with XRD and TEM.The results reveal that the grain of the film is very fine,the size of which is as small as 10 nm,multiphases are coexistentin in the film,and microdistortions increase with an decrease in sputtering pressure.
出处 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 1998年第3期263-268,共6页 Journal of Southwest Jiaotong University
基金 国家自然科学基金
关键词 薄膜 显微组织 氮化钽 显微畸变 磁控反应溅射 thin films micro structure Taltanlum nitride microdistortion
  • 相关文献

参考文献5

共引文献15

同被引文献17

  • 1叶长江,袁永,黎碧莲.电弧离子镀纳米TiO_2光催化薄膜[J].真空,2005,42(1):22-24. 被引量:4
  • 2杨文茂,张琦,陶涛,冷永祥,黄楠.非平衡磁控溅射沉积Ta-N薄膜的结构与电学性能研究[J].功能材料,2006,37(10):1593-1595. 被引量:11
  • 3王豫,安承武,戴星,白彦东.脉冲激光制备ZnO压敏电阻薄膜[J].压电与声光,1996,18(5):358-360. 被引量:8
  • 4GRANQVIST C G. Electrochromic tungsten oxide films : Review of progress 1993- 1998 [ J]. Solar Energy Mater Solar Cells, 2000, 60(3) : 201-262. 被引量:1
  • 5PENZA M, TAGLIENTE M A, MIRENGHI L, et al. Tungsten trioxide (WO3 ) sputtered thin films for a NOx gas sensor[ J ]. Sensors and Actrators B: Chemical, 1998, 50(1) : 9-18. 被引量:1
  • 6WANG Huiyao, XU Pei, WANG Tianmin. The preparation and properties study of photocatalytic nanocrystalline/nanoporous WO3 thin films [ J ]. Materials and Design, 2002, 23 (3) : 331-336. 被引量:1
  • 7MAKAROV V O, TRONTELJ M. Novel varistor material based on tungsten oxide [ J]. J. Mater. Sci. Lett. , 1994, 13 (5) 937 -939. 被引量:1
  • 8WANG Y, YAO K L, LIU Z L. Novel nonlinear current-voltage characteristics of sintered tungsten oxide [ J ]. J. Mater. Sci. Lett. , 2001, 20(18): 1741-1743. 被引量:1
  • 9WANG Y, ABURAS Z, YAO K L, LIU Z L. Effects of doping and temperature on nonlinearity of WO3 varistor[J]. Mater Chemistry and Physics, 1999, 58( 1 ) : 51-54. 被引量:1
  • 10MAKAROV V O, TRONTELJ M. Sintering and Electrical Conductivity of Doped WO3 [ J]. J. Eur. Cera. Soc. , 1996,16 (7) : 791-794. 被引量:1

引证文献2

二级引证文献2

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部