摘要
O484.1 2001042751低能离子注入对Cu_xS薄膜组分的影响=Modification ofCu_xS thin films by low energy ion beam implantation[刊,中]/郑建邦,刘效增,李成全,曹猛,李宁,吴洪才(西安交通大学电信学院.陕西,西安(710049))//半导体光电.-2000,21(3).-199-202采用N^+离子注入的方法,对气-固化学反应生成的Cu_xS薄膜进行了掺杂,研究了N^+离子注入能量和剂量对Cu_xS薄膜组分的影响。结果表明,离子注入改变了Cu_xS薄膜铜与硫的比例,使薄膜组分更接近于富铜型。
出处
《中国光学》
EI
CAS
2001年第4期73-75,共3页
Chinese Optics
