摘要
TB43 2006065244生长温度对L-MBE制备的ZnO薄膜性能的影响=Effect of growth temperature on properties of ZnO thin films pre- pared by L-MBE[刊,中]/徐庆安(中科院西安光机所瞬态光学技术国家重点实验室,陕西,西安(710068)),张景文…//半导体光电．—2006,27(3)．—289-293在蓝宝石c面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250、300、350、400、450℃下生长了高度c轴取向的ZnO薄膜。并对样品进行了X射线衍射、光致发光谱及反射式高能电子衍射的分析。测试结果表明。
出处
《中国光学》
EI
CAS
2006年第6期50-51,共2页
Chinese Optics
