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现代托卡马克中原位硼化综述
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摘要
本文对硼化过程的某些特征,硼-碳薄膜的性质和这些特性对托卡马克放电的影响作了介绍,硼化这里定义了在聚变堆第一壁上a-B/C:H薄膜的等离子体化学敢相沉积,由于硼化,氧,碳和重杂质(例如铁,镍和铬)受到抑制,氢再循环减弱,这就大大改善了托卡马克放电的性能,第一壁用硼化及限制器,偏滤器板和射频天线用厚B4C涂层的两级复合保护,进一步改善了托卡马克等离子体参数。
作者
Buzh.,OI
凡夫
出处
《国外核聚变与等离子体应用》
1998年第1期7-17,37,共12页
关键词
硼化
托卡马克
辉光放电
硼-碳薄膜
等离子体
分类号
TL631.24 [核科学技术—核技术及应用]
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国外核聚变与等离子体应用
1998年 第1期
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