HL—1M装置第一壁的硅化和锂涂复

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摘要分别用１０％ＳｉＨ４＋９０％Ｈｅ辉光放电和真空室原位蒸锂并借助Ｈｅ辉光放电的等离子体气相沉积法对Ｈ－１Ｍ装置的内壁进行了硅化和锂涂复，进一步降低了装置硼化后的杂质和辐射功率损失，对氢有强轴气效应和低再循环特性，为多发弹丸注入，低混杂波电流驱动等物理实验取得重大成果提供了重要条件。

作者张年满王恩耀

机构地区核工业西南物理研究院

出处《四川真空》 1997年第2期28-36,15,共10页

关键词硅化锂涂复等离子体杂质氢再循环聚变装置

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四川真空

1997年第2期

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