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IBM与TSMC在32纳米技术上展开竞争
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摘要
在高性能晶体管领域,IBM Corp.的主要对手通常是Intel。然而,今年IBM的工程师们从在美国Honolulu召开的2008年VLSI技术论坛返回时,讨论的却是如果在32 nm工艺代,IBM及其伙伴采用先制作栅极的高k/金属栅工艺,是否可以保证领先台积电。
作者
David Lammers
出处
《集成电路应用》
2008年第10期24-25,共2页
Application of IC
关键词
IBM
纳米技术
TSMC
竞争
INTEL
技术论坛
VLSI
晶体管
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP333.35 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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.集成电路应用,2017,34(1):50-53.
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.黑龙江科技信息,2011(28):114-114.
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邓志杰(摘译).
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.现代材料动态,2008(8):14-14.
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季建平.
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.半导体信息,2013(6):27-27.
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邓志杰(摘译).
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.现代材料动态,2010(3):7-8.
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翁寿松.
45nm工艺与先进的光刻设备[J]
.电子工业专用设备,2006,35(9):1-6.
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尹清华.
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集成电路应用
2008年 第10期
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