英特尔公司的45nm高k／金属栅工艺

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摘要在近期于华盛顿举行的国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔公司相关负责人披露了该公司有关45nm高k／金属栅加工流程的某些细节，但未告知有关pFET电极金属的关键“元件”。该公司采取的是“先高k，后金属栅”办法。依然要通过高温退火以激活介电层与金属栅之间的掺杂剂，可保持其pFET晶体管的电极有合适的功函数，使该pFET的工作速度比上一代工艺快15％。

作者邓志杰（摘译）

出处《现代材料动态》 2008年第8期14-14,共1页 Information of Advanced Materials

关键词英特尔公司金属栅工艺电子器件加工流程高温退火华盛顿负责人

分类号 TN820.11 [电子电信—信息与通信工程] F471.266 [经济管理—产业经济]

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