期刊文献+

金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展 被引量:3

Latest progress on preparation of ferroelectric thin films prepared by MOCVD process
下载PDF
导出
摘要 铁电薄膜是一类重要的功能材料,是近年来高新技术研究的前沿和热点之一。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备铁电薄膜的一种重要方法。综述了金属有机化学气相沉积法制备铁电薄膜的历史、原理、工艺参数、特点和采用此方法制备出的某些材料的铁电性能。 Ferroelectric thin films as an important functional material were recently one of the new/high-tech projects drawing extensive attention to study, to which the MOCVD (metal organic chemical vapour deposition) is an important process for preparation of ferroelectric films. Reviews the formation principle, process parameters and characteristics of the ferroelectric films by MOCVD especially the ferreelectric properties of some materials prepared by MOCVD.
出处 《真空》 CAS 北大核心 2008年第6期25-28,共4页 Vacuum
基金 中国博士后科学基金(编号20070410774) 重庆市自然科学基金(编号CSTC2007BB4212) 重庆市教育委员会科学技术研究项目(编号KJ071401)
关键词 金属有机化学气相沉积 铁电 薄膜 制备 MOCVD ferroelectric thin film preparation
  • 相关文献

参考文献26

  • 1符春林,杨传仁,陈宏伟.钛酸锶钡(BST)薄膜的组成、结构与性能研究进展[J].真空科学与技术,2003,23(4):255-263. 被引量:12
  • 2张福学主编..现代压电学 中[M].北京:科学出版社,2002:328.
  • 3殷之文..电介质物理学 第2版[M].北京:科学出版社,2003:834.
  • 4Ohnishi T., Koinuma H., Lippmaa M.. Pulsed laser deposition of oxide thin films [J]. Appl. Surf. Sei., 2006, 252: 2466-2471. 被引量:1
  • 5Schwarzkopf J., Fornari R.. Epitaxial growth of ferroelectric oxide films [J]. Prog. Cryst. Growth Ch., 2006, 52: 159-212. 被引量:1
  • 6Yu T., Kwok K. W., Chan H. L. W.. Preparation and properties of sol-gel-derived Bi0.5Na0.5TiO3 lead-free ferroelectrie thin film [J]. Thin Solid Films, 2007, 515 (7-8): 3563-3566 被引量:1
  • 7Jimenez R, Calzada M L. Behavior of the ferroelectric polarization as a function of temperature in sol-gel derived strontium bismuth tantalate thin films [J]. J. Sol-Gel Sci. Teclm., 2007, 42(3): 277-286. 被引量:1
  • 8孔祥蓉,刘俊亮,曾燕伟.MOCVD生长铁电氧化物薄膜MO源研究进展[J].化学进展,2005,17(5):839-846. 被引量:1
  • 9杨玲敏..MOCVD法制备ZnO量子点及其性能研究[D].浙江大学,2006:
  • 10Regnery S, Thomas R, Ehrhart P, et al. SrTa2O6 thin films for high-K dielectric applications grown by chemical vapor deposition on different substrates [J]. J. Appl. Phys., 2005, 97(7): 073521. 被引量:1

二级参考文献152

  • 1章天金,王玮,杨向荣.溶胶-凝胶法制备外延Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜及其结构与性能研究[J].红外与毫米波学报,2002,21(5):393-396. 被引量:5
  • 2阎圣刚,周科衍.金属醇盐在制备陶瓷材料中的应用进展[J].稀有金属,1994,18(4):301-304. 被引量:3
  • 3陈光华 邓金祥.新型电子薄膜材料[M].北京:化学工业出版社,2003.. 被引量:2
  • 4Cho H J, Kang C S, Hwang C Set d. Structural and electrical properties of Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films on Ir and IrO2 electrodes.Jpn,J Appl Plays, 1997,36(7A) :874 - 876. 被引量:1
  • 5Kawakubo T, Komatsu S, Abe K et al. Ferroelectric properties of SrRuO3/( Ba, Sr)TiO3/SrRuO3 epitaxial capacitor. Jpn, J Appl Phys, 1998,37(9B) :5108 - 5111. 被引量:1
  • 6Zhu H, Noda M, Mukaigawa T et al. Application of ferroelectric BST thin film prepared by MOD for uncooled infrared sensor of dielectric bolometer mode. T IEEE Japan,2000,120-E(12) :554-558. 被引量:1
  • 7Xu H, Hashimoto K, Mukaigawa T et al. Development of Si monolithic( Ba, Sr) TiO3 thin-film ferroelectric microbolometers for uncooled chopperless infrared sensing. Proc SPIE, 2000,4130:140 - 151. 被引量:1
  • 8Chen C L, Shen J, Chen S Y et al. Epitaxial growth of dielectric Ba0.6Sr0.4TiO3 thin film on MgO for room temperature microwave phase shifters. Appl Phys Lett,2001,78(5) :652 - 654. 被引量:1
  • 9Romanofsky R R, Vankeuls F W, Warner J D et al. Analysis and optimization of thin film ferroelectric phase shifters. Mat Res Soc Symp Proc,2000,603:3- 14. 被引量:1
  • 10Carlson C M, Rivkin T V, Parilla P A et d. Large dielectric constant Ba0.4 Sr0.6 TiO3 thin films for high-performance microwave phase shifters. Appl Phys Lett,2000,76(14) : 1920 - 1922. 被引量:1

共引文献34

同被引文献89

引证文献3

二级引证文献23

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部