期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

NEC电子开发出便携产品用DRAM混载LSI

下载PDF

导出

摘要 NEC电子开发出使用90nm工艺技术制造的DRAM混载LSI“μPD809400”，并已开始样品供货。该产品在1个芯片上集成了临时保存图像数据的8MBDRAM、内存控制器和图像处理电路、时序控制器等的逻辑电路、稳压器等的模拟电路及输入输出电路。采用该产品，

出处《光机电信息》 2008年第6期60-61,共2页 OME Information

关键词便携产品 DRAM LSI NEC 混载开发电子 90nm工艺

分类号 TN83 [电子电信—信息与通信工程] TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

引文网络
相关文献

1侯彦娥,党兰学,孔云峰,陈小潘,陈奕名.校车路径问题元启发算法框架设计及应用[J].小型微型计算机系统,2014,35(7):1625-1630. 被引量：2
24Mbit的OTP内存[J].家电科技,2010(7):31-31.
3先进光子公开展出低价位光电混载底板[J].印制电路资讯,2008(2):31-31.
4TSMC成功开发随机存取频率高达500MHz的混载DRAM宏[J].中国集成电路,2008,17(1):10-10.
5瑞萨通过标准CMOS实现28nm工艺DRAM混载技术[J].中国集成电路,2011,20(6):11-11.
6IBM CMOS混载光电技术取得了新突破[J].硅谷,2011(7):70-70.
7可替代65nm以上混载DRAM的高密度内存[J].电子元器件应用,2005,7(11):138-138.
8唐志忠,袁鹏.基于启发式规则的整车混载调度系统[J].汽车工程师,2012(6):52-54.
9NEC开发出40纳米DRAM混载系统LSI制程新技术[J].中国集成电路,2008,17(1):8-9.
10党兰学,王震,刘青松,孔云峰.一种求解混载校车路径的启发式算法[J].计算机科学,2013,40(7):248-253. 被引量：15

光机电信息

2008年第6期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部