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TSMC成功开发随机存取频率高达500MHz的混载DRAM宏

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摘要近日，台积电（TSMC）发布了使用Bulk CMOS底板的随机存取时工作频率高达500MHz的1Mbit混载DRAM宏。在基于Bulk CMOS技术的混载DRAM宏中，目前是最高速度，实现了与使用SOI技术的混载DRAM宏相媲美的性能。

出处《中国集成电路》 2008年第1期10-10,共1页 China lntegrated Circuit

关键词 DRAM 随机存取工作频率混载 TSMC CMOS技术宏开发

分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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中国集成电路

2008年第1期

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