摘要
提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器(APS)中的NMOSFET作为复位晶体管,优化设计CMOS有源像素图像传感器,用0.25μm CMOS工艺进行仿真,结果表明:在相同的条件下,这种器件比传统APS拥有更高的信噪比、更大的输出电压摆幅、更大的动态范围和更快的读出速度。
That a PMOSFET is used to substitute the NMOSFET in APS as reset transistor is presented. By optimizing and simulating based on the 0.25 μm CMOS technology, the results show that the new structure has higher signal-to-noise ratio, wider output swing, wider dynamic range and faster readout speed under the same condition.
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2008年第6期15-17,共3页
Transducer and Microsystem Technologies
基金
湖南省自然科学基金资助项目(05JJ30115)
关键词
阈值电压
信噪比
动态范围
有源像素传感器
threshold voltage
signal-to-noise ratio
dynamic range
actice pixel sensor（APS）
