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金属氧化物的钝化机理分析 被引量:3

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摘要 在半导体表面上,利用化学气相淀积法生长一层金属氧化物膜,或涂布掺有金属氧化物的糊状物(需经固化),均显示负电荷效应,具有良好的钝化保护性能。本文就其金属氧化物的负电荷效应及钝化机理进行了分析讨论。
作者 刘秀喜
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期26-29,共4页 Semiconductor Technology
  • 相关文献

参考文献2

  • 1徐传骧主编..高压硅半导体器件耐压与表面绝缘技术[M].北京:机械工业出版社,1981:206.
  • 2管绍茂,王迅编著..半导体表面钝化技术及其应用[M].北京:国防工业出版社,1981:175.

同被引文献10

引证文献3

二级引证文献1

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