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金属氧化物的钝化机理分析
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3
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摘要
在半导体表面上,利用化学气相淀积法生长一层金属氧化物膜,或涂布掺有金属氧化物的糊状物(需经固化),均显示负电荷效应,具有良好的钝化保护性能。本文就其金属氧化物的负电荷效应及钝化机理进行了分析讨论。
作者
刘秀喜
机构地区
山东师范大学半导体研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第5期26-29,共4页
Semiconductor Technology
关键词
金属氧化物
负电荷效应
钝化机理
半导体器件
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
TN305.99
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半导体技术
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