Ge-Au合金膜的微结构及电子束诱导晶化

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摘要ＧｅＡｕ体系是典型的二元共晶系，在室温平衡状态下，二者不相溶。在蒸发沉积制成的薄膜样品中，其非平衡结构对沉积条件敏感，低金属含量和低衬底温度，促进沉积形成非晶薄膜。通过研究不同条件下沉积的合金膜的微结构，可以了解成膜机理；利用电子束诱导晶化，可以为研究晶化动力学过程提供实时观察，并且在ＧｅＡｕ非晶薄膜中实现微区晶化。

作者巴龙秦勇吴自勤

机构地区中国科学院固体物理研究所中国科技大学基础物理中心

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第4期455-456,共2页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关键词非晶态锗铜合金膜微结构电子束晶化

分类号 TB43 [一般工业技术] TG139.8 [一般工业技术—材料科学与工程]

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电子显微学报

1997年第4期

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