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高分子纳米LB膜的制备及其光刻性能研究

Fabrication and photolithographic properties of polymer langmuir-blodgett(LB) films
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摘要 合成并表征了N-十六烷基丙烯酰胺(HDA)和对叔丁基苯酚甲基丙烯酸酯(BPhMA)的共聚物p(HDA-BPhMA)s。当HDA含量较高时,共聚物可在气,液界面上形成稳定,排列紧密的单分子薄膜,并可以Y型膜的方式沉积在各种固体基片上,形成多层均匀的Langrnuir-Blodgett(LB)膜。这种LB膜被成功地应用于光刻,获得了分辨率为0.5μm的LB膜图形。以该图形为抗蚀层,可将图形进一步转移至金属薄膜上,得到分辨率较高的金属图形,在图形转移的过程中,这种LB膜显示出较高的抗蚀性,有望作为纳米抗蚀薄膜材料在亚微米刻蚀领域得到应用。 A series of copolymer [Poly(N-hexadecylacrylamide-co-4-tert-butylphenl methcylate)s] (p(HAD-BPhMA)s) which contain N-hexadecylacrylamide (HAD) and 4-tert-butylphenl methacrylate (BphMA) was synthesized. The copolymer (p(HAD-BPhMA)s) which contain low mole fraction of BphMA could form stable, condensed monolayer at the air/water interace, and could be transferred to solid supports givin Y-type Lanmuir-Blodett films. The resolution of p(HAD-BphMA20) LB films patern was 0.5μm which is the limit resolution of the photomask employed. The atom force microscopy (AFM) studies showed that p(HAD-BphMA20) LB films had a high resistance ability in the process of etchin gold films.
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期281-284,共4页 Journal of Functional Materials
基金 基金项目:河南省杰出人才创新基金资助项目(0621001100) 河南省杰出青年基金资助项目(074100510015) 河南省自然科学基金资助项目(0611020100,2007150042)
关键词 langmuir-blodgett(LB)膜 光刻 聚合物 刻蚀 langmuir-bodettfilms photolithography polymer etching
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