期刊文献+

场致发射阴极碳纳米管的热化学气相沉积法低温生长 被引量:3

Low temperature growth of carbon nanotubes by chemical vapor deposition for field emission cathodes
原文传递
导出
摘要 结合丝网印刷和过滤阴极真空电弧法、离子束溅射方法,在普通玻璃衬底上制备催化剂图案,采用低温热化学气相沉积法(CVD)生长碳纳米管/纤维(CNTs)薄膜.研究了不同种类催化剂对CNTs薄膜生长及其场发射的影响.结果表明,在a-C:Co,Ni-Cu和Cu三种催化剂上没有获得明显的CNTs,在外加电场小于4.4V/μm时没有观察到场发射;而在Ni-Fe及Ni-Cr两种催化剂上获得了大量的CNTs,并且表现出良好的场发射性能,开启电场为2.5V/μm.这种热CVD有简单、低温等优点,在CNTs场发射显示器的阴极制备中有潜在的应用价值.  Carbon nanotubes/nanofibers(CNTs)were grown on sodalime glass by low temperature chemical vapor deposition.The catalytic films were pre-patterned using screen-printing method,combined with filtered cathodic vacuum arc or ion beam sputtering.The effect of different catalysts on the CNT growth and field emission were investigated.For samples catalyzed with a-C:Co,Ni-Cu or Cu,no CNTs are formed,and they show no field emission below the applied field of 4.4V/μm.For samples catalyzed with Ni-Fe or Ni-Cr,large amounts of entangled CNTs are successfully obtained and exhibit good electron emission,having a turn-on field as low as 2.5V/μm.The process,due to its simplicity and relatively low growth temperature,is promising for practical application in field emission display.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期6705-6711,共7页 Acta Physica Sinica
基金 上海市科委纳米专项项目(批准号:0114nm056 0452nm048) 教育部重点项目(批准号:02105)资助的课题.~~
关键词 化学气相沉积 场致发射 碳纳米管 扫描电子显微镜 chemical vapor deposition,field emission,carbon nanotubes,scanning electron microscopy
  • 相关文献

参考文献25

  • 1Baughman R H,Zakhidov A A,de Heer W A 2002 Science 297 787 被引量:1
  • 2宋教花,张耿民,张兆祥,孙明岩,薛增泉.多壁碳纳米管阵列场发射研究[J].物理学报,2004,53(12):4392-4397. 被引量:17
  • 3Choi W B,Chung D S,Kang J H,Kim H Y,Jin Y W,Han I T,Lee Y H,Jung J E,Lee N S,Park G S,Kim J M 1999 Appl.Phys.Lett.75 3129 被引量:1
  • 4Guo P S,Sun Z,Ni S,Chen Y W,Zheng Z H 2006 Surf.Interface Anal.38 981 被引量:1
  • 5Han I T,Kim H J,Park Y J,Lee N S,Jang J E,Kim J W,Jung J E,Kim J M 2002 Appl.Phys.Lett.81 2070 被引量:1
  • 6Sun Z,Li Y J,Chen G Y,Lau S P,Tay B K,Chen J S 2001 Surf.Rev.Lett.8 505 被引量:1
  • 7Gao B,Yue G Z,Qiu Q,Cheng Y,Shimoda H,Fleming L,Zhou O 2001 Adv.Mater.13 1770 被引量:1
  • 8Bower C,Zhou O,Zhu W,Ramirez A G,Kochanski G P,Jin S 2000 Mater.Res.Soc.Symp.Proc.593 215 被引量:1
  • 9Oh S J,Cheng Y,Zhang J,Shimoda H,Zhou O 2003 Appl.Phys.Lett.82 2521 被引量:1
  • 10Li W Z,Xie S S,Qian L X,Chang B H,Zou B S,Zhou W Y,Zhao R A,Wang G 1996 Science 274 1701 被引量:1

二级参考文献11

  • 1[1]de Heer W A, Chtelain A, Ugarte D 1995 Science 270 1179 被引量:1
  • 2[2]Bonard J M, Salvetat J P, Stockli T et al 1998 Appl. Phys. Lett. 73 918 被引量:1
  • 3[3]Kim J M, Choi W B, Lee N S et al 2000 Diamond Relat. Mater. 9 1184 被引量:1
  • 4[7]Chen Y, Shaw D T, Guo L P 2000 Appl. Phys. Lett. 76 2469 被引量:1
  • 5[8]Zhang J H, Feng T, Yu W D et al 2004 Diamond Relat. Mater. 13 54 被引量:1
  • 6[9]Kwo J L, Yokoyama M, Wang W C et al 2000 Diamond Relat. Mater. 9 1270 被引量:1
  • 7[10]Zhi C Y, Bai X D, Wang E G 2002 Appl. Phys. Lett. 81 1690 被引量:1
  • 8[11]Kung S L, Hwang K C, Lin I N 2002 Appl. Phys. Lett. 80 4819 被引量:1
  • 9[12]Latham R V, Bayliss K H, Cox B M 1986 J. Phys. D: Appl. Phys. 19 219 被引量:1
  • 10[13]Song J H, Sun M Y, Chen Q et al 2003 J. Phys. D: Appl. Phys. 36 1 被引量:1

共引文献16

同被引文献32

引证文献3

二级引证文献6

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部