摘要
三管有源像素因其像素面积小、填充因子高,是应用最广泛的一种像素结构.填充因子对像素的特性影响很大.增大像素的填充因子可以增加像素的灵敏度和信噪比,但增加像素的面积会限制像素可以达到的最大分辨率,因此像素设计一般是在确定像素尺寸和工艺的情况下,最大限度地提高填充因子.本文在详细分析CIS三管有源像素结构的基础上,采用NMOS复位管和共源共栅结构的源随器偏置管的组合结构,设计出一种高填充率的CIS三管有源像素,填充率达到57%.通过仿真和单元测试,证明方案有效.
3T-APS （active pixel structure） is a popular pixel structure with small area and high fill factor. High fill factor brings advantages of high sensitivity and SNR （signal-to noise ratio）, but limit resolution of CIS （CMOS image sensor）. Pixel can achieve high fill factor under definite pixel size and CMOS processing. Based on analysis of 3T active pixel structure of CIS, it designs a 57% fill factor 3T-APS with NMOS reset transistor and bias transistor of cascade of source follower structure. Novel pixel structures are successfully simulated and tested.
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期1987-1991,共5页
Chinese Journal of Sensors and Actuators
基金
天津市科技攻关计划项目资助(033153911)
国家自然基金资助项目(60576025)
