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ZrO_2掺杂对SnO_2薄膜电性及气敏性的影响 被引量:8

Effect of ZrO_2 Dopant on the Electrical and Gas Sensing Properties of SnO_2 Thin Films Prepared by the Sol-Gel Technique
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摘要 本研究不用金属酸盐而以无机盐SnCl2·2H2O为主体原料;以Zr(OC3H7)4为掺杂剂;无水乙醇为溶剂,采用溶胶-疑胶(Sol-Gel)工艺制备了不同ZrO2掺杂份量的SnO2薄膜.发现ZrO2掺杂的SnO2薄膜在常温下对H2S气体具有较好的气敏性能.同时本文研究了ZrO2掺杂份量对SnO2薄膜导电率及气敏性能的影响. SnO2(ZrO2) thin films with different dopant concentrations were deposited on soda-glass sheets by the Sol-Gel technique, using non-alkoxide SnCl2.2H2O as main precursor, Zr(OC3H7)4 as dopant, ethanol as solvent. The effect of ZrO2 dopant concentration on the efectrical and gas sensing was studicd. We found that the ZrO2-SnO2 thin films prepared by this method havc very good gas sensitivity, excellent selectivity, rapid rcspionse and recovery behaviour to H2S at room temperature.
出处 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期59-64,共6页 Journal of Inorganic Materials
基金 国家自然科学基金 湖北省教委资助
关键词 掺杂 气敏性 二氧化锡薄膜 陶瓷薄膜 二氧化锆 ZrO_2 doped SnO_2 thin films, Sol-Gel technique, ZrO_2 dopant concentration, electrical and gas sensing properties
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