摘要
从半导体激光诱导液相腐蚀的工艺原理出发,对影响刻蚀精度的主要因素进行了分析研究,从刻蚀图像分辨率、侧壁垂直度及底面平坦度、表面均匀化三个方面提出了改善刻蚀精度的方法。
The main factors which affect the precision of semiconductor etching precision by laser assisted wet etching （LAWE）are analyzed from the angle of techniques. And improving means are brought forward, in the aspects of etching resolution, perpendicularity of the side wall, smoothness of the bottom, and equalizing of the surface.
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2006年第11期28-32,共5页
Laser & Optoelectronics Progress
基金
国家自然科学基金(60277008)
教育部重点项目(03147)
电科院及四川省科技厅资助课题(04GG021-020-01)
国防科技重点实验室基金项目(514910501005DZ0201)
关键词
光电子学
半导体刻蚀工艺
激光诱导液相腐蚀
optoelectronics
semiconductor etching
laser assisted wet etching（LAWE ）
