清洗工艺对成功制作高K/金属栅结构的作用
摘要
对于使用双金属栅结构的 CMOS器件而言,是否能够成功的将这项工艺进行集成整合取决于工程师们对硬掩膜技术以及化学湿法刻蚀试剂的正确选择。本文比较了采用不同清洗工艺的多种成膜技术,以及基于上述技术得到的有效栅氧厚度(EOT)和其它相关电学参数的表现。
出处
《集成电路应用》
2006年第8期32-35,共4页
Application of IC
共引文献1200
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