电迁移研讨会上的问题与答复
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1989年第3期35-40,共6页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
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1张安康.VLSI的电迁移及其微测试技术[J].电子器件,1993,16(2):67-75.
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2张安康.VLSI的电迁移及其微测试技术[J].电子产品可靠性与环境试验,1992(6):23-30.
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3Wada,T,李志国.双极NPN晶体管的电迁移[J].电子产品可靠性与环境试验,1990(5):31-33.
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4张蓓榕,祝伟明,孙沩.Al—Si(1%)金属化电迁移参数的测定[J].微电子学与计算机,1990,7(9):43-46. 被引量:1
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5芯片级互连线中电迁移损坏的模拟:基于晶格结构[J].电子产品可靠性与环境试验,2002(1):69-69.
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6王涛,李斌,罗宏伟.高温恒定电流电迁移可靠性试验及结果分析[J].电子产品可靠性与环境试验,2004,22(6):49-52. 被引量:5
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7孟强.一个厂商关于IDR的答复[J].电信技术研究,1989(8):38-49.
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8庄奕琪,孙青.用1/f~γ噪声检测VLSI金属薄膜互连的电迁移[J].微电子学,1993,23(1):53-58.
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9顾梦茜,袁建星.电迁移加速寿命试验和可靠性寿命分布软件设计[J].上海半导体,1993(1):18-25.
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10欧叶.装电话等28年 罗马尼亚男子收到答复哭笑不得[J].通信业与经济市场,2004(8):52-52.
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