期刊文献+

磁控溅射方法制备垂直取向FePt/BN颗粒膜 被引量:3

The preparation of FePt/BN particle films with perpendicular texture by magnetron sputtering
原文传递
导出
摘要 用磁控溅射在热单晶MgO(100)基片上制备了[FePt/BN]多层膜,经真空热处理后,得到具有垂直取向L10-FePt/BN颗粒膜.X射线衍射结果和磁性测量的结果表明,[FePt(2nm)/BN(0·5nm)]10和[FePt(1nm)/BN(0·25nm)]20多层膜经700℃热处理1h后,均具有较好的(001)取向.[FePt(1nm)/BN(0·25nm)]20垂直矫顽力达到522kA/m,剩磁比达到0·99,开关场分布S*达到0·94,FePt晶粒平均尺寸约15—20nm,适合用于将来超高密度的垂直磁记录介质. [FePt/BN]n multilayers were prepared on MgO (100) single crystal substrates at 250℃ with magnetron sputtering. The perpendicular texture of Llo-FePt/BN particle films was formed after vacuum annealing. The results of X-ray diffraction and magnetic tests show that the [ FePt(2nm)/BN(0.5nm)]10 and [FePt(1nm)/BN(0.25nm)]2o multilayers have excellent (001) texture when the films were sputtered on substrates at 250℃ after annealed at 700℃ for lh. The mean size of Llo-FePt particles is roughly 15-20nm and its perpendicular coercive force reaches 522 kA/m. Moreover, the Mr/Ms and switching filed distribution S ^* reach 0.99 and 0.94, respectively. This particle film is a candidate for future perpendicular magnetic recording media with ultrahigh density.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期2562-2566,共5页 Acta Physica Sinica
基金 国家自然科学基金(批准号:50571007) 北京市教育委员会科技发展计划项目(批准号:KM200610011005)资助的课题~~
关键词 磁控溅射 垂直磁记录 L10-FePt/BN纳米颗粒膜 magnetron sputtering, perpendicular magnetic recording, L10-FePt/BN nanoparticle films
  • 相关文献

参考文献15

二级参考文献18

  • 1Choe G,Zhou J N,Demczyk B et al 2003 IEEE Trans.Magn.39633. 被引量:1
  • 2Weller D 2000 IEEE Trans.Magn.36 10. 被引量:1
  • 3Yang T,Kang K,Yu G Hetal2002 J.Phys.D:Appl.Phys.35 2897. 被引量:1
  • 4Shima T,Monriguchi T,Mitani S et al 2002 Appl.Phys.Lett.80288. 被引量:1
  • 5Hsu Y N,Jeong S,Laughlin D E et al 2001 J.Appl.Phys.897068. 被引量:1
  • 6Maeda T,Kai T,Kikitsu A et al 2002 Appl.Phys.Lett.80 2147. 被引量:1
  • 7Endo Y,Kikuchi N,Kitakami O et al 2001 J.Appl.Phys.897065. 被引量:1
  • 8Takabashi Y K,Hono K,Shima T et al 2003 J.Mgan.Magn.Mater.267 248. 被引量:1
  • 9Kim M G,Shin S C 2002 Appl.Phys.Lett.80 3802. 被引量:1
  • 10Shima T,T akanashi K,Takahashi Y K et al 2002 Appl.Phys.Lett.81 1050. 被引量:1

共引文献7

同被引文献54

引证文献3

二级引证文献6

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部