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PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析 被引量:5

Surface and Interface Analysis of PTCDA/ITO Using X-Ray Photoelectron Spectroscopy(XPS)
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摘要 利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;C O键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4 eV。 Xray photoelectron spectroscopy (XPS) of surface and interface of PTCDA/ITO in PTCDA/p-Si organic-onqnorganic photoelectric detector was investigated. From Cls fine spectrum we found that the binding energy of C atoms in perylene rings was 284.6 eV; and the binding energy of C atoms in acid radical was 288.7 eV; moreover, some C atoms were oxidized by O atoms from ITO. The binding energy of O atoms in C=O bonds and C-O-C bonds was 531.5 and 533.4 eV, respectively. At the interface, the peak of high binding energy in C1s spectrum disappeared, and the main peak shifted toward lower binding energy.
出处 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期753-756,共4页 Spectroscopy and Spectral Analysis
基金 国家自然科学基金(60276026) 甘肃省自然科学基金(ZS031-A25-012-G)资助项目
关键词 表面及界面 X光电子能谱(XPS) PTCDA/ITO Surface and interface X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) PTCDA/ITO
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参考文献16

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共引文献1

同被引文献62

引证文献5

二级引证文献30

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