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MOCVD技术制备ZnS∶MnACTFEL的研究现状和前景
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摘要
综述了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术制备ZnS∶Mn交流薄膜电致发光(ACTFEL)器件的发展历史及研究现状,对各种改进技术和使用的源材料进行了比较,并指出进一步的研究方向。
作者
赵丽娟
钟国柱
杨宝钧
机构地区
中国科学院长春物理研究所
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期222-227,共6页
Chinese Journal of Rare Metals
关键词
薄膜
电致发光
化学气相沉积
硫化锌
锰
分类号
TN304.052 [电子电信—物理电子学]
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.发光学报,1992,13(4):355-362.
被引量:5
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1
侯碧辉,郭常新,李碧琳,金嗣炤,瞿保钧,梁任又,葵剑云.
用电子自旋共振波谱研究ZnS:Mn结构相变的对数直线法[J]
.物理学报,1989,38(11):1733-1739.
被引量:4
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侯碧辉,发光学报,1990年,11卷,1期,61页
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ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响[J]
.人工晶体学报,2005,34(1):116-119.
被引量:2
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退火处理对ZnS∶Cu,Mn电致发光材料亮度的影响[J]
.发光学报,2005,26(6):733-736.
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赵丽娟,杨宝均,钟国柱,郑陈玮,赵国璋.
MOCVD技术制备的ZnS:Mn电致发光薄膜结晶性及Mn^(2+)分布[J]
.发光学报,1996,17(2):122-127.
4
肖玮,肖景林.
用MOCVD技术制备Z_nS:M_n交流电致发光薄膜[J]
.内蒙古民族大学学报(自然科学版),1995,10(2):134-138.
1
王祖明.
交流薄膜电致发光器件的驱动[J]
.光电子技术,1989,9(1):8-12.
2
钟国柱,孙甲明.
ACTFEL高清晰度平板电视的发展[J]
.发光快报,1995,16(3):3-8.
3
高效率ZnS:Mn ACTFEL器件结构[J]
.发光快报,1994,15(3):21-22.
4
刘建胜,李铮,张其善.
透明电极 ITO 导电性对 ACTFEL 显示器的尺寸限制及其改善方法[J]
.航空学报,1998,19(5):541-545.
5
赵丽娟,钟国柱.
MOCVD技术制备ZnS:MnACTFEL器件的进展[J]
.光电技术,1995,36(2):43-50.
6
邸建华.
改进ZnS:Mn交流薄膜电发光器件的稳定性[J]
.液晶与显示,1989,9(4):6-7.
7
师庆华.
ZnS:Mn ACTFEL的电学性能[J]
.液晶与显示,1991,11(5):60-61.
8
廖先炳,刘维芳.
薄膜电致发光平板显示器件[J]
.半导体光电,1990,11(1):1-18.
9
田祥.
256×128线ZnS:Mn ACTFEL矩阵显示[J]
.光电子技术,1993,13(1):25-30.
10
徐征,雷刚,李岚,华玉林,徐叙瑢.
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稀有金属
1996年 第3期
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