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宽带GaAs微波单片集成单刀单掷开关

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摘要本文报道了采用串、并联ＦＥＴ结构的砷化镓（ＧａＡｓ）微波单片集成（ＭＭＩＣ）单刀单掷（ＳＰＳＴ）开关的原理及制作工艺。在ＤＣ～８０ＨＺ频率范围内，插入损耗小于２ｄＢ，隔离度大于４０ｄＢ，反射损耗大于１５ｄＢ。并且具有较高的开关速度和极低的直流偏置功率耗散。芯片尺寸为１×２ｍｍ。

作者郝冠军夏先齐

机构地区航天工业总公司南京

出处《电子工程师》 1996年第1期27-29,共3页 Electronic Engineer

关键词微波开关砷化镓 SPST开关

分类号 TM564 [电气工程—电器]

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电子工程师

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