韩国利用激光全息技术刻蚀出二维光子晶体

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摘要韩国首尔大学的科学家利用激光全息技术的制造工艺在GaN为主要材料的发光二极管组件上，刻蚀出二维光子晶体，使二极管的输出功率提高2倍以上。与以前用的电子束蚀刻法相比，采用激光全息技术可大面积制造，适用于批量生产。传统的发光二极管受限于全内反射和侧向导波，不能把发射的光有效地传输出组件，一大部分浪费了。

出处《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2006年第3期76-76,共1页 Laser & Optoelectronics Progress

关键词激光全息技术二维光子晶体刻蚀韩国发光二极管制造工艺输出功率批量生产全内反射 GAN

分类号 TN201 [电子电信—物理电子学] TB877 [一般工业技术—摄影技术]

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