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夏普推进IGZO量产,氧化物半导体备受关注
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摘要
在2012年12月于美国举行的"IEDM 2012"上,被采用的4篇论文中,有2篇是有关氧化物半导体的成果。可以看出Si(硅)行业对该材料备受关注。氧化物半导体具有可在低温下制备、性能高且透明的特点,正在以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化。
作者
宏海
出处
《半导体信息》
2013年第3期17-17,共1页
Semiconductor Information
关键词
氧化物半导体
IGZO
载流子迁移率
工作稳定性
驱动电压
首尔大学
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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半导体信息
2013年 第3期
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